INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
特征
除非另有说明， TJ = 25 ℃
符号
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） CBO
V
CESAT
V
BESAT
I
CBO
I
EBO
f
T
h
FE
参数
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
集电极截止电流
发射极截止电流
跃迁频率
直流电流增益
条件
I
C
= -50mA ;
BE
=∞
I
C
= -5mA ;我
E
=0
I
C
= -4A ;我
B
=-8mA
I
C
= -4A ;我
B
=-8mA
V
CB
= -80V ;我
E
=0
V
EB
= -5V ;我
C
=0
I
C
= -4A ; V
CE
=-5V
I
C
= -4A ; V
CE
=-3V
1500
20
4000
民
-100
-110
-1.0
典型值。
2SB886
最大
单位
V
V
-1.5
-2.0
-0.1
-3.0
V
V
mA
mA
兆赫
开关时间
t
on
t
英镑
t
f
开启时间
贮存时间
下降时间
I
C
=-4A;I
B1
=-I
B2
=-8mA
R
L
= 12.5Ω ，职务cycle≤1 ％
V
CC
=50V
0.7
1.4
1.5
μs
μs
μs
2
