数据表
1.5V驱动P沟道+ P沟道MOSFET
TT8J11
结构
硅P沟道MOSFET
尺寸
（单位：毫米）
TSST8
(8)
(7)
(6)
(5)
■特点
1）低导通电阻。
2 ）小型高功率封装。
3 ）低电压驱动（ 1.5V驱动器） 。
(1)
(2)
(3)
(4)
缩写符号： J11
应用
开关
Inner
电路
(8)
(7)
(6)
(5)
包装规格
TYPE
TT8J11
包
CODE
基本订购单位（件）
TAPING
TCR
3000
（1） Tr1的源
（2） Tr1的栅极
（3） Tr2的源
（4） Tr2的栅
（ 5 ） Tr2的漏
（ 6 ） Tr2的漏
（ 7 ） Tr1的漏
（ 8 ） Tr1的漏
2
2
1
1
(1)
(2)
(3)
(4)
绝对最大额定值
（ TA = 25°C ）
符号
参数
漏源电压
栅源电压
漏电流
源出电流
（体二极管）
功耗
通道温度
储存温度范围
* 1 Pw10s ，职务cycle1 ％
* 2装在一个陶瓷基板。
1
ESD保护二极管
2
体二极管
范围
12
0
8
3.5
单位
V
V
A
A
A
A
W / TOTAL
W /元
C
C
V
DSS
连续
脉冲
连续
脉冲
V
GSS
I
D
I
DP
I
s
I
sp
P
D
总胆固醇
TSTG
*1
*1
*2
12
0.8
12
1.25
1
150
55
to
150
热阻
参数
渠道环境
*安装在陶瓷板上。
符号
*
RTH （ CH -A ）
范围
100
125
单位
C
/ W /总
C
/ W /元
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