JMnic
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
特征
除非另有说明， TJ = 25 ℃
符号
V
（ BR ） CEO
V
CEsat-1
V
CEsat-2
V
CEsat-3
V
CEsat-4
V
BESAT
I
CBO
I
EBO
h
FE-1
h
FE-2
f
T
C
OB
参数
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
集电极 - 发射极饱和电压
集电极 - 发射极饱和电压
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
直流电流增益
跃迁频率
集电极输出电容
条件
I
C
= -10mA ;我
B
=0
I
C
= -0.5A ;我
B
=-25mA
I
C
= -1A ;我
B
=-50mA
I
C
= -2A ;我
B
=-100mA
I
C
= -3A ;我
B
=-75mA
I
C
= -1A ;我
B
=-50mA
V
CB
= -30V ;我
E
=0
V
EB
= -6V ;我
C
=0
I
C
= -0.5A ; V
CE
=-2V
I
C
= -3A ; V
CE
=-2V
I
C
= -50mA ; V
CE
=-10V
I
E
= 0; F = 1MHz的; V
CB
=-10V
150
70
75
60
民
-30
2SB1657
典型值。
最大
单位
V
-0.15
-0.25
-0.40
-1.0
-1.5
-0.1
-0.1
600
V
V
V
V
V
μA
μA
兆赫
pF
2
