INCHANGE半导体
ISC
产品speci fi cation
ISC
硅PNP达林顿功率晶体管
电气特性
T
C
= 25 ℃除非另有规定
符号
参数
条件
民
典型值。
2SB1478
最大
单位
V
（ BR ） CEO
集电极 - 发射极击穿电压
I
C
= -10mA ，我
B
= 0
-100
V
V
（ BR ） CBO
集电极 - 基极击穿电压
I
C
= -50μA ;我
E
=0
-100
V
V
（ BR ） EBO
发射极 - 基极击穿电压
I
E
= -2mA ;我
C
=0
-5
V
V
CE
（SAT）
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= -5A ，我
B
= -20mA
B
-2.0
V
V
BE
（SAT）
基射极饱和电压
I
C
= -5A ，我
B
= -20mA
B
-2.5
V
I
CBO
收藏家Cuto FF电流
V
CB
= -100V ，我
E
= 0
-10
μA
I
EBO
发射Cuto FF电流
V
EB
= -5V ，我
C
= 0
-2
mA
h
FE
直流电流增益
I
C
= -2A ; V
CE
= -3V
2000
20000
ISC的网站： www.iscsemi.cn
