INCHANGE半导体
ISC
产品speci fi cation
ISC
硅PNP达林顿功率晶体管
电气特性
T
C
= 25 ℃除非另有规定
符号
参数
条件
民
2SB1286
典型值。
最大
单位
V
（ BR ） CEO
集电极 - 发射极击穿电压
I
C
= -5mA ，我
B
= 0
B
-100
V
V
（ BR ） CBO
集电极 - 基极击穿电压
I
C
= -50μA ，我
E
= 0
-100
V
V
CE（
SAT
)
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= -1A ;我
B
= -1mA
B
-1.5
V
I
CBO
收藏家Cuto FF电流
V
CB
= -100V ;我
E
= 0
-10
μA
I
EBO
发射Cuto FF电流
V
EB
= -7V ;我
C
= 0
-3
mA
h
FE
直流电流增益
I
C
= -1A ; V
CE
= -2V
1000
10000
C
OB
输出电容
I
E
= 0; V
CB
= -10V ; F = 1MHz的
35
pF
ISC的网站： www.iscsemi.cn
