INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
特征
除非另有说明， TJ = 25 ℃
符号
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） EBO
V
CESAT
V
BE
I
CBO
I
EBO
h
FE-1
h
FE-2
C
OB
f
T
参数
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 基极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
直流电流增益
输出电容
跃迁频率
条件
I
C
= -5mA ; R
BE
=∞
I
C
= -1mA ，我
E
=0
I
E
= -1mA ，我
C
=0
I
C
= -2A ;我
B
=-0.2A
I
C
= -0.5A ; V
CE
=-5V
V
CB
= -40V ;我
E
=0
V
EB
= -4V ;我
C
=0
I
C
= -0.5A ; V
CE
=-5V
I
C
= -3A ; V
CE
=-5V
I
E
=0 ; V
CB
= -10V ; F = 1MHz的
I
C
= -0.5A ; V
CE
=-5V
70
20
民
-60
-60
-6
2SB1133
典型值。
最大
单位
V
V
V
-1.0
-1.0
-100
-100
280
V
V
μA
μA
110
40
pF
兆赫
h
FE-1
分类
Q
70-140
R
100-200
S
140-280
2
