INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
特征
除非另有说明， TJ = 25 ℃
符号
V
（ BR ） CEO
V
CESAT
I
CBO
I
EBO
h
FE
f
T
C
OB
参数
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
跃迁频率
输出电容
条件
I
C
= -50mA ;我
B
=0
I
C
= -5 A;我
B
=-0.5 A
V
CB
= -140V ;我
E
=0
V
EB
= -6V ;我
C
=0
I
C
= -3A ; V
CE
=-4V
I
C
= -0.5A ; V
CE
=-12V
I
E
=0; V
CB
=-10V;f=1MHz
50
20
400
民
-140
2SA1909
典型值。
最大
单位
V
-0.5
-10
-10
180
V
μA
μA
兆赫
pF
开关时间
t
on
t
s
t
f
开启时间
贮存时间
下降时间
I
C
=-5A;R
L
=12Ω
I
B1
=-I
B2
=-0.5A;V
CC
=-60V
0.17
1.86
0.27
μs
μs
μs
h
FE
分类
O
50-100
P
70-140
Y
90-180
2
