2SA1 664
晶体管（ PNP ）
SOT-89-3L
1.基地
特点
小扁包
高电流的应用
高转换频率
最大额定值（T
a
= 25℃除非另有说明）
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
R
θJA
T
j
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极耗散功率
从结点到环境的热阻
结温
储存温度
价值
-35
-30
-5
-0.8
500
250
150
-55~+150
2.收集
3.辐射源
单位
V
V
V
A
mW
℃/W
℃
℃
电气特性（T
a
= 25 ℃除非另有规定）
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
基射极电压
集电极输出电容
跃迁频率
符号
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
I
CBO
I
EBO
h
FE(1)
h
FE(2)
V
CE （ SAT ）
V
BE
C
ob
f
T
TEST
条件
民
-35
-30
-5
-100
-100
100
35
-0.7
-0.5
19
120
-0.8
V
V
pF
兆赫
320
典型值
最大
单位
V
V
V
nA
nA
I
C
=-1mA,I
E
=0
I
C
=-10mA,I
B
=0
I
E
=-1mA,I
C
=0
V
CB
=-35V,I
E
=0
V
EB
=-5V,I
C
=0
V
CE
= -1V ，我
C
=-100mA
V
CE
= -1V ，我
C
=-700mA
I
C
=-500mA,I
B
=-20mA
V
CE
= -1V ，我
C
=-10mA
V
CB
=-10V,I
E
= 0中，f = 1MHz的
V
CE
=-5V,I
C
=-10mA,
分类h及
FE
(1)
秩
范围
记号
O
100–200
RO
Y
160–320
RY
１
金隅
半导体
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Ｄ½½½：２０１１／０５
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