INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
2SA1471
特征
除非另有说明， TJ = 25 ℃
符号
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
V
CESAT
I
CBO
I
EBO
h
FE
f
T
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
跃迁频率
条件
I
C
= -1mA ;我
E
=0
I
C
= -1mA ;
BE
=∞
I
E
= -1mA ;我
C
=0
I
C
= -5A ;我
B
=-0.25A
V
CB
= -40V ;我
E
=0
V
EB
= -4V ;我
C
=0
I
C
= -1A ; V
CE
=-2V
I
C
= -1A ; V
CE
=-5V
70
100
民
-80
-60
-5
-0.4
-100
-100
280
兆赫
典型值。
最大
单位
V
V
V
V
μA
μA
开关时间
t
on
t
英镑
t
f
开启时间
贮存时间
下降时间
V
CC
= 20V ;我
C
=5A
I
B1
=-I
B2
=-0.25A
R
L
=4Ω
0.1
0.5
0.1
μs
μs
μs
2
