
JMnic
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
特征
除非另有说明, TJ = 25 ℃
符号
V
( BR ) CBO
V
( BR ) CEO
V
( BR ) EBO
V
CESAT
V
BESAT
I
CBO
I
EBO
h
FE
f
T
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
跃迁频率
条件
I
C
= -1mA ,我
E
=0
I
C
= -1mA ,我
B
=0
I
E
= -1mA ,我
C
=0
I
C
= -2A ;我
B
=-0.2A
I
C
= -2A ;我
B
=-0.2A
V
CB
= -40V ;我
E
=0
V
EB
= -4V ;我
C
=0
I
C
= -1A ; V
CE
=-2V
I
C
= -1A ; V
CE
=-5V
70
40
民
-70
-70
-5
典型值。
2SA1355
最大
单位
V
V
V
-0.5
-1.2
-100
-100
280
V
V
μA
μA
兆赫
2