无铅产品
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2N7002
NCE N沟道
增强型功率MOSFET
一般特点
●
V
DS
= 60V ，我
D
= 0.115A
R
DS （ ON）
< 3Ω @ V
GS
=4.5V
R
DS （ ON）
< @ 2Ω V
GS
=10V
原理图
●
被收购无铅产品
●
表面贴装封装
应用
- 直接
逻辑电平接口： TTL / CMOS
●驱动程序：
继电器，螺线管，照明灯，锤子，显示器，
回忆，晶体管等。
电池
供电系统
.Solid状态
继电器
标志和引脚分配
SOT- 23顶视图
包装标志和订购信息
器件标识
7002
设备
2N7002
器件封装
SOT-23
带尺寸
180mm
胶带宽度
8 mm
QUANTITY
3000台
绝对最大额定值（ TA = 25℃除非另有说明）
参数
符号
漏源电压
V
DS
栅源电压
V
GS
I
D
漏电流连续@电流脉冲（注1 ）
I
DM
最大功率耗散
P
D
工作结存储温度范围
T
J
,T
英镑
热特性
热阻，结到环境（注2 ）
R
θJA
极限
60
±20
0.115
0.8
0.2
-55到150
单位
V
V
A
A
W
℃
625
℃
/W
电气特性（ TA = 25℃除非另有说明）
参数
符号
条件
开关特性
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
BV
DSS
I
DSS
V
GS
= 0V我
D
=250μA
V
DS
=60V,V
GS
=0V
民
60
典型值
最大
单位
V
1
μA
无锡NCE功率半导体有限公司
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