位置：首页 > IC型号导航 > 首字符2型号页 > 首字符2的型号第671页 > 2N7002DWG-AL6-R > 2N7002DWG-AL6-R PDF资料 > 2N7002DWG-AL6-R PDF资料1第5页
2N7002DW
典型特性的影响（续）
击穿电压Varisation
随温度
1.1
归漏源击穿
电压BV
DSS
(V)
1.075
1.05
1.025
1
0.975
0.95
0.925
-50
-25
0
25
50
75
100 125 150
结温，T
J
(°C)
2
I
D
= 250μA
反向漏电流，I
S
(A)
1
0.5
T
J
=125°C
0.1
0.05
0.01
0.005
0.001
0.2
0.4
0.6
25°C
功率MOSFET
体二极管正向电压Varisation
随温度
V
GS
=0V
0.8
1
1.2
1.4
体二极管正向电压，V
SD
(V)
UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 ， LTD。
www.unisonic.com.tw
栅源电压，V
GS
(V)
电容（pF）
5 6
QW-R502-534.C
