2N7002
典型特征
功率MOSFET
漏源电流，我
D
(A)
归漏源
导通电阻，R
DS （ ON）
()
导通电阻Varisation与温度
2
归漏源
导通电阻，R
DS （ ON）
()
1.75
1.5
1.25
1
0.75
0.5
-50
- 25
0
25
50
75
100 125 150
结温，T
J
(°C)
传输特性
1.0
V
DS
=10V
25°C
1.1
125°C
归一门极 - 源
电压，V
GS （ TH）
(V)
1.05
1
0.95
0.9
0.85
0.8
0
2
4
6
8
10
-50
3
归漏源开 -
电阻R
DS （ ON）
()
V
GS
=10V
I
D
=300mA
2.5
2
1.5
导通电阻Varisation与排水
电流和温度
V
GS
=10V
T
J
=125°C
25°C
1
0.5
0
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2
漏电流，我
D
(A)
栅极阈值Varisation与温度
V
GS
= V
DS
I
D
= 1毫安
0.8
漏电流，我
D
(A)
0.6
0.4
0.2
0
门源电压，V
GS
(V)
-25
0
25
50
75
100 125 150
结温，T
J
(°C)
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4 6
QW-R206-037,K
