MCC
微型商业组件
TM
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20736玛丽拉
街道查茨沃斯
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2N7002
特点
外壳材料：模压塑料。防火
分类额定值94V- 0
和MSL等级1
先进的加工技术
高输入阻抗
高速开关
CMOS逻辑兼容输入
标记： 7002 / S72
等级
漏源电压
漏电流
总功耗
热阻结到环境
工作结温
储存温度
O
N沟道MOSFET
最大额定值@ 25
O
C除非另有说明
符号
V
DS
I
D
P
D
R
JA
T
J
T
英镑
等级
60
115
200
625
-55到+150
-55到+150
单位
V
mA
mW
/W
SOT-23
A
除非另有说明电气特性@ 25℃
符号
V
（ BR ） DSS
V
TTH （ GS ）
I
GSS
I
DSS
参数
漏源击穿电压
(V
GS
=为0 Vdc ，我
D
=10Adc)
栅极阈值电压
(V
DS
=V
GS
, I
D
=250Adc)
门体漏
(V
DS
=为0 Vdc ，V
GS
=f20Vdc)
零栅极电压漏极电流
(V
DS
= 60V直流，V
GS
=0Vdc)
(V
DS
= 60V直流，V
GS
=为0 Vdc ，T
j
=125 )
通态漏电流
(V
DS
=刻度0-7.5Vdc ，V
GS
=10Vdc)
漏源导通电阻
(V
GS
= 10Vdc的，我
D
=500mAdc)
(V
GS
= 5V直流，我
D
=50mAdc)
漏源电压
(V
GS
= 10Vdc的，我
D
=500mAdc)
(V
GS
= 5V直流，我
D
=50mAdc)
正向跨导
(V
DS
= 10Vdc的，我
D
=200mAdc)
二极管的正向电压
(V
GS
=为0 Vdc ，我
S
=115mAdc)
最大连续漏源
二极管的正向电流
输入电容
V
DS
=25Vdc,
输出电容
V
GS
=0Vdc
反向传输
f=1MHz
电容
V
DD
=30Vdc,
V
根
=10Vdc
R
L
=150,I
D
=200mA,
R
根
=25
民
60
1.0
---
---
---
500
---
---
---
---
80
---
-
---
---
---
典型值
---
---
---
---
---
2700
1.2
1.7
---
---
---
---
---
---
---
---
最大
---
2.5
f100
1
500
---
7.5
7.5
3.75
1.5
---
1.5
115
50
25
5
单位
VDC
VDC
NADC
μAdc
MADC
VDC
ms
VDC
mA
G
D
3
C
B
1.GATE
2.源
3.排水
1
F
E
2
H
J
K
尺寸
英寸
民
.110
.083
.047
.035
.070
.018
.0005
.035
.003
.015
MM
民
2.80
2.10
1.20
.89
1.78
.45
.013
.89
.085
.37
I
D（上）
r
DS （ ON）
V
DS （ ON）
G
FS
V
SD
I
S
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
暗淡
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
最大
.120
.098
.055
.041
.081
.024
.0039
.044
.007
.020
最大
3.04
2.64
1.40
1.03
2.05
.60
.100
1.12
.180
.51
记
建议焊料
焊盘布局
.031
.800
.035
.900
.079
2.000
英寸
mm
pF
开关
t
D（上）
t
D（关闭）
开启时间
打开-O FF时间
---
---
---
---
20
ns
20
.037
.950
.037
.950
修订： 4
www.mccsemi.com
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2008/01/01
