半导体
技术参数
接口和开关应用。
特点
高密度电池设计低R
DS （ ON）
.
电压controolled小信号开关。
坚固可靠。
A
G
L
2N7002A
N沟道增强模式
场效应晶体管
E
B
L
暗淡
A
D
B
C
D
E
G
H
J
K
L
M
N
P
MILLIMETERS
_
2.93+ 0.20
1.30+0.20/-0.15
1.30最大
0.45+0.15/-0.05
2.40+0.30/-0.20
1.90
0.95
0.13+0.10/-0.05
0.00 ~ 0.10
0.55
0.20 MIN
1.00+0.20/-0.10
7
高饱和电流capablity 。
2
3
H
1
最大额定值（ TA = 25
特征
漏源电压
漏，栅极电压（R
GS
栅源电压
1
)
)
符号
V
DSS
V
DGR
V
GSS
等级
60
60
20
115
mA
800
200
150
-55 150
mW
单位
V
V
V
C
N
P
P
M
1.源
2.门
3.排水
连续
漏电流
脉冲
漏极功耗
结温
存储温度范围
I
D
I
DP
P
D
T
j
T
英镑
K
SOT-23
记号
等效电路
D
J
LOT号
型号名称
WB
G
S
该晶体管静电敏感器件。
请谨慎操作。
电气特性（ TA = 25 ）
特征
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
门体泄漏，正向
门体泄漏，反向
符号
BV
DSS
I
DSS
I
GSSF
I
GSSR
测试条件
V
GS
= 0V时，我
D
=10 A
V
DS
=60V, V
GS
=0V
V
GS
=20V, V
DS
=0V
V
GS
=-20V, V
DS
=0V
分钟。
60
-
-
-
典型值。
-
-
-
-
马克斯。
-
1
1
-1
单位
V
A
A
A
2009. 7. 2
版本号： 7
1/4
