2N7002A
N沟道增强型网络场效晶体管
请点击这里访问我们的在线SPICE模型数据库。
特点
N沟道MOSFET
低导通电阻
低栅极阈值电压
低输入电容
开关速度快
小型表面贴装封装
ESD保护门， 1.2KV HBM
铅，卤素及锑，符合RoHS标准
"Green"设备（注2和4）
符合AEC -Q101标准的高可靠性
机械数据
SOT-23
新产品
案例： SOT -23
外壳材料：模压塑料。 UL可燃性分类
等级94V -0
湿度灵敏性：每J- STD- 020D 1级
码头：每MIL -STD- 202方法208
无铅电镀（雾锡完成了退火铜
引线框架） 。
终端连接：见图
标识信息：见第3页
订购信息：见第3页
重量： 0.008克（近似值）
漏
D
门
ESD保护， 1.2KV
顶视图
门
保护
二极管
G
来源
S
顶视图
等效电路
最大额定值
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
价值
60
±20
115
73
800
单位
V
V
mA
特征
漏源电压
栅源电压（注1 ）
漏电流（注1 ）
连续
连续
连续@ 100℃
脉冲
热特性
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
P
D
R
θ
JA
T
J,
T
英镑
价值
250
1.6
500
-55到+150
单位
mW
毫瓦/°C的
° C / W
°C
特征
总功耗
降额以上的牛逼
A
= 25 ° C（注1 ）
热阻，结到环境
工作和存储温度范围
电气特性
特征
开关特性（注3 ）
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
门体漏
基本特征（注3 ）
栅极阈值电压
静态漏源导通电阻
正向跨导
动态特性
输入电容
输出电容
反向传输电容
开关特性
导通延迟时间
打开-O FF延迟时间
注意事项：
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
BV
DSS
@ T
C
= 25°C
@ T
C
= 125°C
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
@ T
J
= 25°C
@ T
J
= 125°C
R
DS （ ON）
g
FS
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
D（关闭）
民
60
1.2
80
典型值
70
3.5
3.0
23
3.4
1.4
10
33
最大
1.0
500
±10
2.0
6
5
单位
V
A
μA
V
Ω
mS
pF
pF
pF
ns
ns
测试条件
V
GS
= 0V时，我
D
= 10μA
V
DS
= 60V, V
GS
= 0V
V
GS
= ±20V, V
DS
= 0V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250μA
V
GS
= 5.0V ，我
D
= 0.115A
V
GS
= 10V ，我
D
= 0.115A
V
DS
= 10V ，我
D
= 0.115A
V
DS
= 25V, V
GS
= 0V ， F = 1.0MHz的
V
DD
= 30V ，我
D
= 0.115A ，R
L
= 150Ω,
V
根
= 10V
,
R
根
= 25Ω
1.装置安装在FR- 4 PCB ， 1英寸× 0.85英寸× 0.062英寸;如图所示的二极管公司焊盘布局建议焊盘布局文件AP02001 ，这
可以在我们的网站http://www.diodes.com/datasheets/ap02001.pdf找到。
2.没有故意添加铅。卤素和无锑。
3.短持续时间脉冲试验中使用，以尽量减少自热效应。
4.产品具有数据代码V9制造（ 33周， 2008年）和较新的构建与绿色塑封料。前日期产品制造
代码V9内置有非绿色塑封料，可能含有卤素或Sb203阻燃剂。
2N7002A
文件编号： DS31360牧师4 - 2
1 4
www.diodes.com
2008年5月
Diodes公司
