UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 ， LTD。
2N7002ZW
初步
功率MOSFET
300米安培， 60伏特DUAL
N沟道增强
模式MOSFET
描述
在UTC
2N7002ZW
采用先进的技术来提供
优秀的研发
DS （ ON）
，低栅极电荷和低门电压时
操作。这个装置是适合于用作负载开关或在
PWM应用。
特点
*低反向传输电容（C
RSS
=典型3.0 pF的）
* ESD保护
*快速开关能力
*较高的雪崩能量
*改进dv / dt能力，高耐用性
符号
3.Drain
2.Gate
1.Source
订购信息
订购数量
无铅
无卤
2N7002ZWL-AL3-R
2N7002ZWG-AL3-R
包
SOT-323
引脚分配
1
2
3
S
G
D
填料
带盘
记号
www.unisonic.com.tw
2011 Unisonic技术有限公司
1 4
QW-R502-539.a
