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UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 ， LTD。
2N7002W
初步
功率MOSFET
300毫安， 60V N沟道
功率MOSFET
描述
在UTC
2N7002W
采用先进的技术来提供
优秀的研发
DS （ ON）
，低栅极电荷和操作与低门
电压。这个装置是适合于用作负载开关或以PWM
应用程序。
特点
*高密度电池设计低R
DS （ ON）
.
*压控小信号开关
*坚固可靠
*高饱和电流能力
符号
订购信息
订购数量
无铅
无卤
2N7002WL-AL3-R
2N7002WG-AL3-R
包
SOT-323
引脚分配
1
2
3
S
G
D
填料
带盘
记号
3P
G：无卤
L：无铅
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1第3
QW-R502-537.b
