2N7002
表面贴装
N沟道
增强型
硅MOSFET
W W瓦特权证N t个R A升发E M I 。 C 0米
描述：
中央SEMICONDUCTOR 2N7002型是
N沟道场效应晶体管，制造由
N通道DMOS工艺，专为高速
脉冲放大器和驱动器应用。
标识代码： 702
SOT- 23 CASE
最大额定值：
(TA=25°C)
漏源电压
漏极 - 栅极电压
栅源电压
连续漏电流（TC = 25 ° C）
连续漏电流（TC = 100 ° C）
连续源电流（体二极管）
最大漏电流脉冲
最大脉冲电流源
功耗
工作和存储结温
热阻
符号
VDS
VDG
VGS
ID
ID
IS
IDM
ISM
PD
TJ ， TSTG
Θ
JA
60
60
40
115
75
115
800
800
350
-65到+150
357
单位
V
V
V
mA
mA
mA
mA
mA
mW
°C
° C / W
电气特性：
（ TA = 25° C除非另有说明）
符号
测试条件
民
典型值
IGSSF
VGS=20V
IGSSR
VGS=20V
IDSS
VDS = 60V ， VGS = 0
IDSS
VDS = 60V ， VGS = 0 ， TA = 125°C
ID （上）
BVDSS
VGS （ TH）
VDS （上）
VDS （上）
VSD
RDS （ ON）
RDS （ ON）
RDS （ ON）
RDS （ ON）
政府飞行服务队
VDS = 10V ， VGS = 10V
ID=10μA
VDS = VGS ，ID = 250μA
VGS = 10V ，ID = 500毫安
VGS = 5.0V ， ID = 50毫安
VGS = 0时， IS = 11.5毫安
VGS = 10V ，ID = 500毫安
VGS = 10V ， ID = 500毫安， TA = 100℃
VGS = 5.0V ， ID = 50毫安
VGS = 5.0V ， ID = 50mA时TA = 100℃
VDS = 10V ，ID = 200毫安
80
500
60
1.0
105
2.1
最大
100
100
1.0
500
单位
nA
nA
μA
μA
mA
V
2.5
3.75
0.375
1.5
7.5
13.5
7.5
13.5
V
V
V
V
Ω
Ω
Ω
Ω
mS
3.7
6.2
R5 （ 2011年31月）
