INCHANGE半导体
ISC
产品speci fi cation
ISC
硅NPN功率晶体管
电气特性
T
C
= 25 ℃除非另有规定
符号
V
CEO （ SUS ）
V
CE
（SAT） -
1
V
CE
（SAT） -
2
V
BE
（SAT）
I
CEV
I
CER
I
EBO
h
FE-1
h
FE-2
f
T
C
OB
参数
集电极 - 发射极电压维持
集电极 - 发射极饱和电压
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
收藏家Cuto FF电流
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
直流电流增益
直流电流增益
电流增益带宽积
输出电容
条件
I
C
= 100毫安;我
B
=0
I
C
= 1.5A ;我
B
= 0.15A
I
C
= 3A ;我
B
= 0.4A
I
C
= 3A ;我
B
= 0.4A ，T
C
=100℃
I
C
= 3A ;我
B
= 0.4A
I
C
= 3A ;我
B
= 0.4A ，T
C
=100℃
V
CEV
= 850V;V
BE （OFF）的
= 1.5V
V
CEV
= 850V;V
BE （OFF）的
= 1.5V ;吨
C
=100℃
V
CE
= 850V ;
BE
= 50Ω,T
C
= 100℃
V
EB
= 6.0V ;我
C
=0
I
C
= 3A ; V
CE
= 5V
I
C
= 5A ; V
CE
= 5V
I
C
= 0.25A ; V
CE
= 10V ; F
TEST
=10MHz
I
E
= 0; V
CB
= 10V ; F
TEST
=1.0kHz
7.5
5
15
20
民
450
典型值。
2N6833
最大
单位
V
1.0
2.5
2.5
1.5
1.5
0.25
1.5
2.5
1.0
30
V
V
V
mA
mA
mA
75
200
兆赫
pF
开关时间;阻性负载
t
d
t
r
t
s
t
f
延迟时间
上升时间
贮存时间
下降时间
I
C
= 3A ，V
CC
= 250V;
I
B1
= 0.4A ;我
B2
= -0.8A;
P
W
=为30μs ;
B2
= 8Ω
值班Cycle≤2.0 ％
0.03
0.1
1.0
0.06
0.1
0.3
3.0
0.3
μs
μs
μs
μs
ISC的网站： www.iscsemi.cn
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