2N6676
2N6677
2N6678
NPN硅
功率晶体管
W W瓦特权证N t个R A升发E M I 。 C 0米
描述：
中央SEMICONDUCTOR 2N6676系列
类型NPN硅功率晶体管设计
高电压开关应用。
标记：全部型号
TO- 3 CASE
最大额定值：
(TC=25°C)
集电极 - 发射极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流
峰值集电极电流
连续基极电流
功耗
工作和存储结温
热阻
符号
VCEV
VCEO
VEBO
IC
ICM
IB
PD
TJ ， TSTG
Θ
JC
2N6676
450
300
2N6677
550
350
8.0
15
20
5.0
175
-65到+200
1.0
2N6678
650
400
单位
V
V
V
A
A
A
W
°C
° C / W
电气特性：
（ TC = 25° C除非另有说明）
符号
测试条件
民
ICEV
VCE =额定VCEV ， VBE （关闭） = 1.5V
ICEV
VCE =额定VCEV ， VBE （关闭） = 1.5V ， TC = 100℃
IEBO
BVCEO
BVCEO
BVCEO
VCE （ SAT ）
VBE （ SAT ）
的hFE
COB
ft
td
tr
ts
tf
VEB=8.0V
IC = 200毫安（ 2N6676 ）
IC = 200毫安（ 2N6677 ）
IC = 200毫安（ 2N6678 ）
IC = 15A ， IB = 3.0A
IC = 15A ， IB = 3.0A
VCE = 3.0V ， IC = 15A
VCB = 10V ， IE = 0 ， F = 1.0MHz的
VCE = 10V ， IC = 1.0A ， F = 5.0MHz
VCC = 200V ， IC = 15A ， IB1 = IB2 = 3.0A
TP = 20μS ，职务Cycle≤2.0 ％
VBB≈6.0V ，RL = 13.5Ω
8.0
300
350
400
最大
100
1.0
2.0
单位
μA
mA
mA
V
V
V
1.5
1.5
500
3.0
10
0.1
0.6
2.5
0.5
V
V
pF
兆赫
μs
μs
μs
μs
R0 （ 2010年26月）
