2N6667, 2N6668
硅达林顿
功率晶体管
设计用于通用放大器和低速切换
应用程序。
高直流电流增益 -
h
FE
= 3500 （典型值） @我
C
= 4.0 ADC
集电极 - 发射极耐受电压 - @ 200 MADC
V
CEO （ SUS ）
= 60 VDC （最小值） - 2N6667
= 80伏直流（最小值） - 2N6668
低集电极 - 发射极饱和电压 -
V
CE （ SAT ）
= 2.0伏（最大） @我
C
= 5.0 ADC
整体结构具有内置基极 - 发射极分流电阻
TO- 220AB封装紧凑
补充2N6387 ， 2N6388
无铅包可用*
http://onsemi.com
PNP硅
达林顿
功率晶体管
10 A， 6080 V， 65瓦
记号
图
4
集热器
1
2
3
风格1 ：
PIN 1 。
2.
3.
4.
BASE
集热器
辐射源
集热器
2N666x
AYWWG
BASE
CASE 221A -09
TO-220AB
x
A
Y
WW
G
= 7或8的
=大会地点
=年
=工作周
= Pb-Free包装
≈
8k
≈
120
辐射源
图1.达林顿示意图
订购信息
设备
2N6667
2N6667G
包
TO-220AB
TO-220AB
（无铅）
TO-220AB
TO-220AB
（无铅）
航运
50单位/铁
50单位/铁
2N6668
2N6668G
50单位/铁
50单位/铁
*有关我们的无铅战略和焊接细节，更多的信息请
下载安森美半导体焊接与安装技术
参考手册， SOLDERRM / D 。
半导体元件工业有限责任公司， 2007年
1
2007年11月 - 修订版6
出版订单号：
2N6667/D
