INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
除非另有说明， TJ = 25 ℃
符号
参数
2N6326 2N6327 2N6328
条件
民
典型值。
最大
单位
2N6326
集电极 - 发射极
维持电压
60
V
CEO （ SUS ）
2N6327
I
C
= 0.2 A;我
B
=0
80
V
2N6328
100
V
CESAT
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= 15A ;我
B
=1.5A
1.2
V
V
BESAT
基射极饱和电压
I
C
= 15A ;我
B
=1.5A
1.5
V
V
BE
基射极电压上
I
C
= 8A ; V
CE
=4V
V
CB
= 60V ;我
E
=0
T
C
=150℃
V
CB
= 80V ;我
E
=0
T
C
=150℃
V
CB
= 100V ;我
E
=0
T
C
=150℃
V
EB
= 4V ;我
C
=0
1.5
1.0
5.0
1.0
5.0
1.0
5.0
1.0
V
2N6326
I
CBO
集电极截止电流
2N6327
mA
2N6328
I
EBO
发射极截止电流
mA
h
FE-1
直流电流增益
I
C
= 8A ; V
CE
=4V
25
h
FE-2
直流电流增益
I
C
= 30A ; V
CE
=4V
6
30
f
T
跃迁频率
I
C
= 1A ; V
CE
=10V;f=1.0MHz
3
兆赫
2
