（ PNP ） 2N6034 ， 2N6035 ， 2N6036 ; （ NPN ） 2N6038 ， 2N6039
有源区的安全工作区
1.0
7.0
5.0
3.0
2.0
100
ms
1.0
7.0
5.0
3.0
2.0
1.0
0.7
0.5
0.3
0.2
100
ms
1.0毫秒
dc
T
J
= 150°C
键合丝有限公司
限热
@ T
C
= 25°C （单脉冲）
二次击穿有限公司
2N6039
2N6038
7.0
20
10
30
50
70
V
CE
，集电极 - 发射极电压（伏）
100
IC ，集电极电流（ AMP ）
dc
T
J
= 150°C
键合丝有限公司
限热
@ T
C
= 25°C （单脉冲）
二次击穿有限公司
2N6036
2N6035
7.0
70
20
10
30
50
V
CE
，集电极 - 发射极电压（伏）
100
1.0
0.7
0.5
0.3
0.2
0.1
5.0
图4. 2N6035 ， 2N6036
IC ，集电极电流（ AMP ）
5.0毫秒
1.0毫秒
5.0毫秒
0.1
5.0
图5. 2N6038 ， 2N6039
200
T
C
= 25°C
有对的功率处理能力两方面的局限性
晶体管：平均结温及第二
击穿。安全工作区曲线表明我
C
V
CE
晶体管必须可靠地观察到极限
操作;即，晶体管不能承受较大的
功耗比曲线表示。
图4和图5的数据是基于T
J（下PK）
= 150_C;
T
C
是可变的取决于条件。二次击穿
脉冲限制的有效期为占空比来假定T 10 ％
J（下PK）
< 150_C 。牛逼
J（下PK）
可以从该数据在图3中被计算。
在高温情况下，热限制将减少
可处理到值小于所述电源
通过限制二次击穿的罚款。
100
C，电容（pF ）
70
50
C
ob
30
20
PNP
NPN
10
0.04 0.06 0.1
0.2 0.4 0.6 1.0
2.0 4.0 6.0 10
V
R
，反向电压（伏）
20
40
C
ib
图6.电容
PNP
2N6034, 2N6035, 2N6036
6.0 k
4.0 k
的hFE ， DC电流增益
3.0 k
2.0 k
25°C
T
C
= 125°C
V
CE
= 3.0 V
4.0 k
的hFE ， DC电流增益
3.0 k
6.0 k
NPN
2N6038, 2N6039
T
J
= 125°C
V
CE
= 3.0 V
25°C
2.0 k
- 55°C
1.0 k
800
600
400
300
0.04 0.06
- 55°C
1.0 k
800
600
400
300
0.04 0.06
0.1
0.2
1.0
0.4 0.6
I
C
，集电极电流（ AMP ）
2.0
4.0
0.1
0.2
1.0
0.4 0.6
I
C
，集电极电流（ AMP ）
2.0
4.0
图7.直流电流增益
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