技术数据表
6湖街，劳伦斯，MA 01841
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抗辐射
PNP硅晶体管开关
每个合格的MIL -PRF- 357分之19500
器件
水平
2N3634
2N3634L
2N3634UB
2N3635
2N3635L
2N3635UB
2N3636
2N3636L
2N3636UB
2N3637
2N3637L
2N3637UB
JANSM - 3K拉德（SI ）
JANSD - 10K拉德（SI ）
JANSP - 30K拉德（SI ）
JANSL - 50K拉德（SI ）
JANSR - 100K拉德（SI ）
绝对最大额定值
(T
C
= + 25 ° C除非另有说明）
参数/测试条件
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
总功耗
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
I
C
2N3634* 2N3636*
2N3635* 2N3637*
140
140
5.0
1.0
175
175
5.0
1.0
单位
VDC
VDC
VDC
ADC
TO-5*
2N3634L ， 2N3635L
2N3636L ， 2N3637L
@ T
A
= +25°C
1.0
W
P
T
**
@ T
C
= +25°C
5.0
W
UB ： @ T
C
= +25°C
1.5
W
操作&存储结温
-65到+200
°C
T
J
, T
英镑
范围
*为“L”的后缀器件的电气特性都是相同的“非L”对应的
设备。
**咨询三百五十七分之一万九千五百的降额曲线。
电气特性
(T
A
= + 25℃ ，除非另有说明）
参数/测试条件
关CHARACTERTICS
集电极 - 发射极击穿电压
I
C
= 10mAdc
2N3634, 2N3635
2N3636, 2N3637
集电极 - 基极截止电流
V
CB
= 100V直流
V
CB
= 140Vdc
V
CB
= 175VDC
发射基截止电流
V
EB
= 3.0VDC
V
EB
= 5.0VDC
集电极 - 发射极截止电流
V
CE
= 100V直流
T4 - LDS -0065版本2 （ 100377 ）
符号
分钟。
马克斯。
单位
TO- 39 * （ TO- 205AD ）
2N3634, 2N3635
2N3636, 2N3637
V
（ BR ） CEO
140
175
100
10
10
50
10
10
VDC
2N3634, 2N3635
2N3636, 2N3637
I
CBO
μAdc
μAdc
μAdc
3针
μAdc
μAdc
μAdc
第1页5
2N3634UB ， 2N3635UB
2N3636UB ， 2N3637UB
I
EBO
I
首席执行官
