TXS0108E

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SCES642B - 2007年12月 - 修订2008年9月

（P1）的一个短持续时间的，这加速了由低到高的跳变。类似地，一个下降沿时，当

从B发送数据到A ，单次（ OS2 ）打开NMOS晶体管（ N1 ）为短时，这

加快高至低跳变。在A口边沿速率加速器由一个射击OS1和OS2 ，

晶体管P1和N1的成份，并形成边沿速率促进剂，并用于快速迫使A端口

高或低时，一个相应的过渡检测到B端口上。

上电

在操作过程中，要确保V

CCA

≤

V

建行

在任何时候。在上电顺序，V

CCA

≥

V

建行

不

对设备造成损坏，因此任何电源可先加足马力。

启用和禁用

该TXS0108E有用于设置OE低，这使所有I / O中禁用该设备的输入OE

Hi-Z状态。禁用时间（t

DIS

）表示时间之间的延迟，当OE为低电平，输出时

实际上拿到禁用（高阻） 。的使能时间（t

en

）表示的时间，用户必须允许量

单稳电路开始运作后， OE为高电平。

上拉或下拉电阻上的I / O线

每一个端口的I / O有一个上拉电阻（R

PUA

）到V

CCA

和每个B端口的I / O具有一个上拉电阻器（R

PUB

）到V

建行

.

R

PUA

和R

PUB

有40 kΩ的值时，输出驱动低。

PUA

和R

PUB

具有4千欧的值时的

输出驱动高。

PUA

和R

PUB

被禁用时， OE =低。

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