TXS0108E

SCES642B - 2007年12月 - 修订2008年9月

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操作原理

应用

该TXS0108E可用于电平转换的应用程序的接口的设备或在操作系统上

不同的接口电压彼此。该TXS0108E是理想的应用场合漏极开路

驱动器被连接到所述数据I / O操作。该TXS0108E也可用于在应用中的推挽驱动器是

连接到所述数据I / O的，但TXB0104可能是这样的推挽应用一个更好的选择。该

TXS0108E设备是一种半缓冲的自动方向感应电压转换器的设计是用于翻译优化

该所需要的系统的应用程序（例如MMC卡接口），以开始在低速漏极开路模式和

然后切换到一个较高的速度推 - 拉模式。

架构

为了解决这些应用的需求，一个半缓冲体系结构设计是用来与下面说明

（见

图1）。

边沿速率加速器电路（同时为高到低以及从低到高边缘） ，一个高朗

n沟道通栅晶体管（ 300量级

500

)

和上拉电阻（以提供直流偏置和

驱动能力）被包括以实现此解决方案。一个方向控制信号（控制数据的方向

从A流向B或从B到A）是不需要的。由此产生的执行支持低速开漏

操作以及高速的推拉操作。

V

CCA

OS3

Rpua

翻译者

T1

单稳

OS4

单稳

N2

P2

Rpub

V

建行

A

BIAS

R1

Npass

OS1

P1

单稳

OS2

N1

单稳

B

R2

翻译者

T2

图1.架构TXS01xx细胞

当在上升沿传输数据从A到B口，单次（ OS3 ）打开PMOS晶体管

（P2）的一个短持续时间的，这加速了由低到高的跳变。类似地，一个下降沿时，当

从A到B发送数据时，单次（ OS4 ）打开NMOS晶体管（ N2）很短的持续时间，这

加快高至低跳变。在B口边沿速率加速器由一个射击OS3和OS4 ，

晶体管P2和N2 ，并用于快速迫使B端口的高或低时，一个相应的过渡是

在端口上检测到。

当传输距离B数据到A端口，在上升沿单次（ OS1 ）打开PMOS晶体管

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