UCD7232
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SLUSAH3
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2011年5月
输入和输出电容器
在高侧FET的漏极电流绘制快速，简单，矩形脉冲。它提供低是很重要的
阻抗，在所述FET的漏极的高频能量存储权利。对于这个20A功率级， 2 22μF ，
16V或25V陶瓷电容建议。 C1和C2应放在接近Q1的漏极作为
可能。的电容器的接地侧的连接方式如尽可能地接近Q2的源极引线。如果
设计多相供电，这些电容应该出现在每个功率级。大容量输入
旁路电容，可能还需要尽量减少在瞬态负载电压的变化。这个大
电容未示出上
图7中的
但是它通常需要。大容量电容可以在多个共享
功率级。
电感纹波电流必须由输出电容器吸收。纹波电流为三角形
并且包含在开关频率及其谐波显著能量。为了使纹波电压
振幅为最小，低ESR和低ESL的电容器必须被使用。多层陶瓷电容是理想
设备。而大容量电容也需要在瞬态事件提供能量储存，散装
电容器通常不处理太多的纹波电流，因为其较高的ESL和ESR使它们看起来
电感的纹波频率。
输出纹波电压正比于电感纹波电流。电感纹波电流的变化
广泛地与输入电压和占空比。这使得它很难拿出一个尺寸适合所有人
推荐的陶瓷输出电容适量。一个很好的出发点是约
100μF 。在这个设计中的两个47μF的电容均采用（ C7和C8 ） 。这些电容应放置在靠近
电感器L1及这些盖子的接地侧的连接方式如尽可能地接近的源极引线
低边FET ， Q2 。
散电容不仅用于短期瞬态能量存储，但也可作为频率响应
在电源的反馈回路剪裁元件。几百微法，在最低限度，通常是
在此电流能力的功率级中使用。在这个例子中， 330μF正在使用（C9） 。更多电容
根据负载的瞬态响应的要求可能需要。
旁路和自举电容
在此设计中，关于BP3 （C12） ， V中的旁路电容器
GG
（C4） ，并且所述自举电容器（C3 ）使用
推荐值。高频0.1μF的旁路电容， C11 ，也已加入的VIN引脚
UCD7232 。此帽衰减高频噪声存在于输入电压轨。它应尽可能地
尽可能靠近引脚16和短，直接走线连接到模拟地。
布局建议
适当的元件布局和走线的路由可能对整体的功率级效率的显著影响
并降低噪声耦合到邻近电路。以下是一些重点布局的考虑。
找到驱动程序尽可能接近的功率FET ，但不要将它直接放在下任FET 。该
驱动程序是一个功率器件，并且需要其自己的热冷却路径。汇聚多个发热部件太近
同时可以增加温升过高的风险，并可能导致热关断事件。
找到V
GG
旁路和自举电容应尽可能靠近给驾驶员。
要特别注意的GND跟踪。的输入旁路电容的接地侧，的接地侧
输出电容，低边FET的源导线和保护地线连接到驾驶员应
连接在一起的一个紧
*单
点“地面上，使用宽而低电感的痕迹很少，如果有过孔。
使用地平面的大力鼓励。
连接电源焊盘上的驱动程序来模拟地面的底部。电源焊盘并不打算成为一个
高电流承载连接。模拟地和电源地应在1连接在一起
点附近的AGND引脚。应当小心，以保证大电流通过未拉
模拟地痕迹。
开关节点走线应尽量短而紧凑。这是该系统具有很高的噪声最大的节点
的dV / dt的压摆率。
使用宽走线的门HS和LS门信号密切关注相关的交换节点，
地上的痕迹。用0.050 “到0.080 ” （ 1.27 2.03毫米）宽的痕迹，如果可能的。如果栅极使用的至少两个通孔
驱动迹有要被路由从一层到另一层。
保持低电平输入和输出线应远离开关节点。的高dV / dt信号存在有
可诱导显著噪声进入相对高阻抗节点。特别要注意的路由
在CSP和CSN的痕迹。
版权
2011年，德州仪器
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