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SLUSAH3
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2011年5月
RDLY
该RDLY引脚设置高侧故障检测比较器的消隐时间。电阻到AGND设置
根据下面的公式，其中t消隐时间
空白
在纳秒和RDLY是为kΩ 。值
大于为25kΩ RDLY不宜使用。
t
- 33
RDLY =
空白
11.413
(6)
来计算标称消隐时间为电阻的一个给定值，则使用下面的公式。
t
空白
= 11.413
×
RDLY + 33
(7)
在消隐时间间隔开始于SW的上升沿。在消隐时间的高压侧故障比较器
举行了。当跨高侧FET的电压降超过设定的阈值的高侧故障标记
由HS感脚。消隐是必需的，因为这发生在上升沿的高振幅的振铃
SW否则会导致故障比较器的误触发。的消隐时间所需要的量是
高侧FET ， PCB布线的功能，是否有缓冲网络的使用情况。的值
125ns的是一个典型的起点。 8.06kΩ的RDLY将提供消隐为125ns 。消隐间隔应
保持尽可能的短，符合可靠的故障检测。消隐间隔设定最小占空
周期的脉冲宽度，其中高压侧的故障检测是可能的。当PWM脉冲的占空比是
窄于消隐时间，在高侧的故障检测比较器保持关断整个导通时间，并且，
因此，盲目给任何高端的故障。
在内部， RDLY引脚通过一个90μA电流源供电。当使用8.06kΩ的默认值，该电压
在RDLY观察引脚将约为725mV 。
HS感
从HS引脚和高侧FET的漏极的电阻值高侧故障检测阈值。
当高侧FET接通时，电流流过场效应晶体管产生跨器件的电压降。该
这个电压的大小等于在R
DS （ ON）
次通过的电流的FET 。绝对最大
电流电平可以在设计阶段设定与FET两端所得到的电压降可以被计算出来。
此最大电压降，
ΔV
最大
，集高端故障阈值。
在内部，高速比较器监视的SW引脚和HS检测引脚，当电压
高侧FET接通。每当在SW引脚的电压比对HS感脚，故障电压低
被标记。为了防止伴随SW的上升沿的输出振铃期间误跳闸
比较器保持关断（空白）的时间间隔由RDLY销设置的。在HS检测引脚上的电压设置
通过从销到高侧FET的漏极相连的电阻器。房协检测电阻值计算
下式，其中
ΔV
最大
在毫伏，而R
HS感
在千欧。
R
HS感
=
ΔV
最大
/ 100
(8)
例如，如果
ΔV
最大
为100mV ，则R
HS感
为1kΩ 。
该方程可以重新表述如下，其中R
HS感
在千欧，R
DS （ ON）
在毫欧，而我
最大
安培：
R
HS感
= R
DS （ ON） HOT
×
I
最大
) / 100
(9)
I的值
最大
应该被设置为期望的最大稳态电流的约150％。这
允许一定的裕量，以避免滋扰故障事件，由于瞬态负载电流和电感纹波
电流。另外，请记住，第r
DS （ ON）
FET的具有大的正温度系数
约4000ppm / ℃。当在电流操作所述FET的结温升高
附近的我
最大
门槛。在上面的公式中，用R的值
DS （ ON） HOT
这是它的典型的约140 ％
室内温度值。当使用内部V
GG
栅极驱动电源时，FET ，当接通时，被驱动到
V
GS
约6V提高电压。最FET数据表提供
DS （ ON）
值V
GS
值
4.5V和10V 。不要使用V
GS
=在室温 10V价值
DS （ ON）
值。一些制造商
提供为R的曲线图
DS （ ON）
VS V
GS
。如果提供，使用V
GS
=在室温 6V值
DS （ ON）
值。
一个100μA的电流吸收器拉电流过R
HS感
。这就建立了一个参考电压降等于
ΔV
最大
。这是
重要的是要连接的R的远端
HS感
电阻直接向高侧FET的漏极。这应该是
用一个单独的，非通电跟踪制成。这确保了只有R-
DS （ ON）
的场效应影响
故障阈值的PCB走线不是阻力。
版权
2011年，德州仪器
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