EMF17 / UMF17N
晶体管
绝对最大额定值
(Ta=25°C)
Tr1
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
Tj
TSTG
范围
60
50
6
150
150 （ TOTAL ）
150
55
+150
单位
V
V
V
mA
mW
°C
°C
每个元素120MW不得超过。
DTr2
参数
电源电压
输入电压
集电极电流
输出电流
功耗
结温
储存温度范围
范围
符号
50
V
CC
V
IN
10
to
+20
I
C
100
100
I
O
P
C
150(TOTAL)
Tj
150
TSTG
55
to
+150
单位
V
V
mA
mA
mW
°C
°C
1
2
1
内置晶体管的特性。
2
每个端子安装在一个推荐的土地。
电气特性
(Ta=25°C)
Tr1
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
集电极 - 发射极饱和电压
直流电流传输比
跃迁频率
输出电容
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
V
CE （ SAT ）
h
FE
f
T
COB
分钟。
60
50
6
180
典型值。
140
4
马克斯。
0.1
0.1
0.5
390
5
单位
V
V
V
A
A
V
兆赫
pF
I
C
=
50A
I
C
=
1mA
I
E
=
50A
V
CB
=
60V
V
EB
=
6V
条件
I
C
/I
B
=
50mA/5mA
V
CE
=
6V,
I
C
=
1mA
V
CE
=
12V,
I
E
= 2毫安中，f = 100MHz的
V
CB
=
12V,
I
E
= 0A ， F = 1MHz的
DTr2
参数
输入电压
输出电压
输入电流
输出电流
直流电流增益
跃迁频率
输入阻抗
电阻率
内置晶体管的特性。
符号
V
我（关闭）
V
我（上）
V
O（上）
I
I
I
O（关）
G
I
f
T
R
1
R
2
/R
1
分钟。
3.0
20
1.54
0.8
典型值。
100
250
2.2
1.0
马克斯。
0.5
300
3.8
0.5
2.86
1.2
单位
V
V
mV
mA
A
兆赫
k
条件
V
CC
=5V,
I
O
=100A
V
O
=0.3V,
I
O
=20mA
V
O
=10mA,
I
I
=0.5mA
V
I
=5V
V
CC
=50V,
V
I
=0V
V
O
=5V,
I
O
=20mA
V
CE
=10V,
I
E
=5mA,
f=100MHz
Rev.A的
2/4
