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UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 ， LTD。
UT4435
30V p通道功率
MOSFET
描述
该
UT4435
采用先进的沟槽技术，提供
优秀的研发
DS （ ON）
，低栅极电荷和操作与低门
电压。这个装置是适合于用作负载开关或在
PWM应用。
功率MOSFET
特点
* R
DS （ ON）
≤20m
@V
GS
=-10V
* R
DS （ ON）
≤
35mΩ @V
GS
=-4.5V
*低电容
*低栅极电荷
*快速开关能力
*较高的雪崩能量
SOP-8
符号
3.Drain
2.Gate
1.Source
订购信息
订购数量
无铅
无卤
UT4435L-S08-R
UT4435G-S08-R
包
SOP-8
填料
带盘
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2010 Unisonic技术有限公司
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QW-R502-254.B
