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UTRON
初步修订版1.0
64K x 16位低功耗CMOS SRAM
UT62L6416
时序波形
读周期1
（地址控制）
(1,2,4)
t
RC
地址
t
AA
t
OH
t
OH
DOUT
数据有效
读周期2
(
CE
和
OE
控制）
(1,3,5,6)
t
地址
RC
CE
t
AA
t
ACE
t
OE
t
OLZ
t
BLZ
t
CHZ
OE
t
BA
OHZ
LB ， UB
t
t
CLZ
t
OH
t
BHZ
DOUT
高-Z
数据有效
高-Z
注意事项：
1.
WE
为高的读周期。
2.设备不断选择CE = V
IL 。
3.地址必须是之前还是一致通过CE过渡有效;否则吨
AA
是限制参数。
4. OE为低。
5. t
CLZ
, t
OLZ
, t
CHZ
, t
OHZ ，
t
BHZ
和T
BLZ
用C指定
L
= 5pF的。过渡测
±500mV
从稳定状态。
6.在任何给定的温度和电压条件下，叔
CHZ
小于吨
CLZ
, t
OHZ
小于吨
OLZ 。
, t
BHZ
小于吨
BLZ 。
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