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UTRON
初步修订版1.0
64K x 16位低功耗CMOS SRAM
UT62L6416
电容
(TA=25
℃
中，f = 1.0MHz的）
参数
输入电容
输入/输出电容
符号
C
IN
C
I / O
分钟。
-
-
最大
6
8
单位
pF
pF
注：这些参数由器件特性保证，但未经生产测试。
AC测试条件
输入脉冲电平
输入上升和下降时间
输入和输出时序参考电平
输出负载
0V至3.0V
5ns
1.5V
C
L
= 30pF的，我
OH
/I
OL
= -1mA / 2毫安
AC电气特性
(V
CC
= 2.7V 3.6V ， TA = 0
℃
70
℃
/ -20
℃
80
℃
(E))
（ 1 ）读周期
参数
读周期时间
地址访问时间
芯片使能存取时间
输出启用访问时间
芯片使能在低Z输出
输出使能到输出中低Z
芯片禁用高Z输出
输出禁止到输出中高Z
从地址变更输出保持
LB
,
UB
存取时间
LB
,
UB
到输出高阻态
LB
,
UB
以低Z输出
符号
UT62L6416-55
UT62L6416-70
UT62L6416-100
单位
t
RC
t
AA
t
ACE
t
OE
t
CLZ *
t
OLZ *
t
CHZ *
t
OHZ *
t
OH
t
BA
t
BHZ
t
BLZ
分钟。
55
-
-
-
10
5
-
-
5
-
-
0
马克斯。
-
55
55
30
-
-
20
20
-
55
25
-
分钟。
70
-
-
-
10
5
-
-
5
-
-
0
马克斯。
-
70
70
35
-
-
25
25
-
70
30
-
分钟。
100
-
-
-
10
5
-
-
5
-
-
0
马克斯。
-
100
100
50
-
-
30
30
-
100
40
-
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
（ 2 ）写周期
参数
写周期时间
地址有效到写结束
芯片使能写操作的结束
地址建立时间
把脉冲宽度
写恢复时间
数据写入时间重叠
从写入时间结束数据保持
输出写入结束活动
写在高Z输出
符号
UT62L6416-55
UT62L6416-70
UT62L6416-100
单位
LB
,
UB
有效到结束写入的
*这些参数由器件特性保证，但未经生产测试。
* 55ns的VCC = 3.0V 3.6V
t
WC
t
AW
t
CW
t
AS
t
WP
t
WR
t
DW
t
DH
t
OW *
t
WHZ *
t
BW
分钟。
55
50
50
0
45
0
25
0
5
-
45
马克斯。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
30
-
分钟。
70
60
60
0
55
0
30
0
5
-
60
马克斯。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
30
-
分钟。
100
80
80
0
70
0
40
0
5
-
80
马克斯。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
40
-
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
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