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UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 ， LTD。
UT6898
N沟道增强
描述
该
UT6898
采用先进的沟槽技术，提供
优秀的研发
DS （ ON）
，低栅极电荷和操作与低门
电压。这个装置是适合于用作负载开关或在
PWM应用。
功率MOSFET
特点
* R
DS （ ON）
<18毫欧@ V
GS
=2.5V
* R
DS （ ON）
<14毫欧@ V
GS
=4.5V
*低电容
*低栅极电荷
*快速开关能力
*较高的雪崩能量
符号
(7) (8)
D1
(5) (6)
D2
无铅：
UT6898L
无卤： UT6898G
(2)
G1
(4)
G2
S1
(1)
S2
(3)
订购信息
正常
UT6898-S08-R
UT6898-S08-T
订购数量
无铅
UT6898L-S08-R
UT6898L-S08-T
无卤
UT6898G-S08-R
UT6898G-S08-T
包
SOP-8
SOP-8
填料
带盘
管
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2008 Unisonic技术有限公司
1 5
QW-R502-239.A
