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V30200C ， VF30200C ， VB30200C & VI30200C

威世通用半导体

100

10

瞬态热阻抗（ ℃/ W）

正向电流（A ）

结到外壳

T

A

= 150 °C

T

A

= 125 °C

10

1

T

A

= 25 °C

V(B,I)30200C

0.1

0.01

0.1

1

10

100

0.1

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

1.2

正向

电压

(V)

吨 - 脉冲持续时间（ S）

图3.典型正向特性每二极管

图每二极管6.典型的瞬态热阻抗

100

10

瞬态热阻抗（ ℃/ W）

瞬时反向电流（mA ）

T

J

= 150 °C

10

T

J

= 125 °C

结到外壳

1

T

J

= 100 °C

0.1

T

J

= 25 °C

0.01

VF30200C

1

0.01

0.001

10

20

30

40

50

60

70

80

90

100

0.1

1

10

100

百分比额定峰值反向

电压

(%)

吨 - 脉冲持续时间（ S）

每二极管图4.典型的反向特性

图每二极管7.典型的瞬态热阻抗

10 000

结电容（pF ）

1000

100

10

0.1

1

10

100

反向

电压

(V)

图5.典型结电容每二极管

文档编号： 89014

修订： 24军09

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