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TPS40200-EP
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SGLS371 - 2007年1月
其中：
D
I
pp
= D
V
D
t
S
L
l
D
V
=
V
IN
-
V
OUT
-
(
DCR
+
R
DSON
)
I
OUT
R
DSON
= FET导通电阻
DCR =电感的直流电阻
D =占空比
t
S
=倒数开关频率的
在本实施例中使用的值，直流功率损失是129毫瓦。剩下的FET损失：
P
SW
- 当切换FET导通和关断功率耗散
P
门
- 功率耗散驱动FET栅极电容
P
科斯
- 电源开关场效应管输出电容
总功率场效应管散热是这些捐款的总和：
P
FET
= P
SW
+ P
门
+ P
科斯
+ P
RDSON
该P沟道场效应晶体管本申请中使用是一个FDC654P ，具有以下特点：
t
上升
= 13
×
10
–9
t
秋天
= 6
×
10
–9
R
DSON
= 0.1
Q
gd
= 1.2
×
10
–9
C
OSS
= 83
×
10
–12
Q
g
= 9 NC
V
门
= 1.9 V
Q
gs
= 1.0
×
10
–9
使用这些设备的特性和下式产生：
f
f
P
SW
=
S
V
IN
I
pk
t
CHON
÷ +
S
V
IN
I
pk
t
CHOFF
=
10兆瓦
÷
2
2
è
(
)
(10)
其中：
t
CHON
=
和
Q
GD
R
G
V
IN
-
V
TH
Q
GD
R
G
V
IN
t
CHOFF
=
是用于功率FET的开关时间。
P
门
=
Q
G
V
门
f
S
=
22毫瓦
P
科斯
=
C
OSS
V
在MAX _
f
S
2
2
=
2兆瓦
I
G
= Q
G
×
f
S
= 2.7毫安是栅极电流
的开关损耗之和为34毫瓦，是堪比129 - mW的直流损耗。在增加的费用中，
稍大FET会更好，因为直流损耗会下降，交流损耗会增加，既
走向平等损失的最佳点。
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