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MSP430F2274-EP
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SLAS614C - 2008年9月 - 修订2010年7月
主动模式下电源电流(成DV
CC
+ AV
CC
)不包括外部电流 - 电
特征
(1) (2)
在推荐的电源电压和工作的自由空气的温度范围内(除非另有说明)
参数
测试条件
T
A
V
CC
2.2 V
-55 ° C至125°C
TYP MAX
270
390
mA
单位
f
DCO
= f
MCLK
= f
SMCLK
= 1 MHz时,
f
ACLK
= 32,768赫兹,
程序在Flash中执行,
主动模式( AM )
BCSCTL1 = CALBC1_1 MHZ ,
电流( 1兆赫)
DCOCTL = CALDCO_1 MHZ ,
CPUOFF = 0, SCG0 = 0, SCG1 = 0,
OSCOFF = 0
f
DCO
= f
MCLK
= f
SMCLK
= 1 MHz时,
f
ACLK
= 32,768赫兹,
程序在RAM中执行,
主动模式( AM )
BCSCTL1 = CALBC1_1 MHZ ,
电流( 1兆赫)
DCOCTL = CALDCO_1 MHZ ,
CPUOFF = 0, SCG0 = 0, SCG1 = 0,
OSCOFF = 0
f
MCLK
= f
SMCLK
= f
ACLK
= 32,768赫兹/ 8 = 4096
赫兹,
f
DCO
= 0赫兹,
主动模式( AM )计划在Flash中执行,
电流( 4千赫)
SELMx = 11, SELS = 1,
DIVMx = DIVSx = DIVAx = 11 ,
CPUOFF = 0, SCG0 = 1, SCG1 = 0,
OSCOFF = 0
f
MCLK
= f
SMCLK
= f
DCO的(0 ,0)
100 kHz时,
f
ACLK
= 0赫兹,
主动模式( AM )计划在Flash中执行,
电流( 100 kHz)的RSELx = 0, DCOX = 0,
CPUOFF = 0, SCG0 = 0, SCG1 = 0,
OSCOFF = 1
-55 ° C至85°C
125°C
-55 ° C至85°C
125°C
-55 ° C至85°C
125°C
-55 ° C至85°C
125°C
3V
3V
I
上午,
1MHz
3V
390
550
2.2 V
240
mA
I
上午,
1MHz
3V
340
2.2 V
5
6
9
18
10
20
mA
I
上午,
4kHz
2.2 V
60
72
85
95
95
125
mA
I
AM,100kHz
(1)
(2)
所有的输入连接到0 V或V
CC
。输出不供应或吸收任何电流。
对于T
A
< 105℃ ,电流的特征在于具有微晶体CC4V - T1A SMD晶体具有9 pF的负载电容。
内部和外部负载电容被选择为接近地匹配所需要的9 pF的。对于T
A
> 105℃ ,电流的特征
使用32 kHz外部时钟源ACLK ..
典型特征 - 主动模式电源电流(成DV
CC
+ AV
CC
)
8.0
7.0
活动模式电流 - 毫安
6.0
f
DCO
= 12 MHz的
5.0
4.0
3.0
2.0
1.0
0.0
1.5
f
DCO
= 16 MHz的
活动模式电流 - 毫安
4.0
5.0
T
A
= 85
°C
T
A
= 25
°C
3.0
V
CC
= 3 V
2.0
T
A
= 85
°C
T
A
= 25
°C
1.0
f
DCO
= 8 MHz的
f
DCO
= 1兆赫
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
0.0
0.0
V
CC
= 2.2 V
4.0
8.0
12.0
16.0
V
CC
- 电源电压 - V
f
DCO
- DCO频率 - 兆赫
图2.活动模式电流与V
CC
, T
A
= 25°C
图3.活动模式电流与DCO频率
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