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新产品
V20100C ， VF20100C ， VB20100C & VI20100C
威世通用半导体
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
每个二极管的击穿电压
测试条件
I
R
= 10毫安
I
F
= 5 A
I
F
= 10 A
I
F
= 5 A
I
F
= 10 A
V
R
= 70 V
反向电流每二极管
(2)
V
R
= 100 V
笔记
(1)
(2)
符号
V
BR
典型值。
105 （最低）
0.55
0.65
马克斯。
-
-
0.79
单位
V
T
A
= 25 °C
T
A
= 25 °C
每个二极管的正向电压
(1)
V
F
T
A
= 125 °C
T
A
= 25 °C
T
A
= 125 °C
T
A
= 25 °C
T
A
= 125 °C
V
0.50
0.58
17
5.3
-
0.68
-
-
800
25
A
mA
A
mA
I
R
-
12
脉冲试验： 300微秒的脉冲宽度， 1 ％的占空比
脉冲测试：脉冲宽度
≤
40毫秒
热特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
每个二极管的典型热阻
符号
R
θJC
V20100C
2.8
VF20100C
5.5
VB20100C
2.8
VI20100C
2.8
单位
° C / W
订购信息
（例）
包
TO-220AB
ITO-220AB
TO-263AB
TO-263AB
TO-262AA
首选的P / N
V20100C-E3/4W
VF20100C-E3/4W
VB20100C-E3/4W
VB20100C-E3/8W
VI20100C-E3/4W
单位重量（g ）
1.881
1.75
1.39
1.39
1.452
封装代码
4W
4W
4W
8W
4W
基地数量
50/tube
50/tube
50/tube
800/reel
50/tube
配送方式
管
管
管
磁带和卷轴
管
额定值和特性曲线
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
24
负载电阻或电感
20
18
D = 0.5
D = 0.3
D = 0.2
14
12
10
8
6
4
2
0
0
25
50
75
100
125
150
175
0
0
4
8
12
16
20
24
D =吨
p
/T
t
p
T
D = 0.1
D = 1.0
D = 0.8
平均正向电流（ A）
20
VF20100C
16
VI(B)20100C
V20100C
12
8
4
平均功耗（ W）
16
外壳温度（ ° C）
平均正向电流（ A）
图1.最大正向电流降额曲线
图2.正向功率损耗特性每二极管
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2
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文档编号： 88977
修订： 24军09
