1N5333B THRU 1N5388B
硅5瓦齐纳二极管
斯科茨代尔区划
*电气特性@ 25
o
C
TYPE
数
调节器
电压
TEST
当前
最大
动态
阻抗
（ A&B后缀）
最大
反向
当前
I
R
TEST
电压
（无后缀&
后缀）
WWW .
Microsemi的
.C
OM
(V
Z
)
V
(I
ZT
)
直流毫安
380
350
320
290
260
240
220
200
200
175
175
150
150
150
125
125
100
100
100
75
75
70
65
65
65
50
50
50
50
50
40
40
30
30
30
25
25
20
20
20
20
20
15
15
15
12
12
10
10
8.0
8.0
8.0
8.0
5.0
5.0
5.0
(Z
Z
)
(V
R
)
V
I
R
TEST
电压
（ B，C ，D后缀）
(I
R
)
A
300
150
50
10
5.0
1.0
1.0
1.0
1.0
10
10
10
10
7.5
5.0
5.0
2.0
1.0
1.0
1.0
1.0
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
(V
R
)
V
最大
调节器
当前
（ B，C ，D后缀）
(I
ZM
)
最大
膝关节动态
阻抗
Z
ZK
@ 1.0毫安
（A ， B，C ，D后缀）
最大
浪涌
当前
最大
电压
规
（A ， B，C ，D
后缀）
(I
ZSM
)
安培
20
18.7
17.6
16.4
15.3
14.4
13.4
12.7
12.4
11.5
10.7
10
9.5
9.2
8.6
8.0
7.5
7.0
6.7
6.3
6.0
5.8
5.5
5.3
5.1
4.7
4.4
4.3
4.1
3.9
3.7
3.5
3.3
3.1
2.8
2.7
2.5
2.3
2.2
2.1
2.0
1.9
1.8
1.7
1.6
1.5
1.4
1.3
1.2
1.2
1.1
1.1
1.0
1.0
0.9
0.9
(V
Z
)
欧
3.0
2.5
2.0
2.0
2.0
1.5
1.0
1.0
1.0
1.0
1.5
1.5
2.0
2.0
2.0
2.5
2.5
2.5
2.5
2.5
2.5
2.5
2.5
3.0
3.0
3.5
3.5
4.0
5.0
6.0
8.0
10
11
14
20
25
27
35
40
42
44
45
65
75
75
90
125
170
190
230
330
350
380
430
450
480
mA
1440
1320
1220
1100
1010
930
865
790
765
700
630
580
545
520
475
430
395
365
340
315
295
280
264
250
237
216
198
190
176
170
158
144
132
122
110
100
93
86
79
76
70
63
58
54.5
52.5
47.5
43
39.5
36.6
34
31.6
29.4
28
26.4
25
23.6
欧
400
500
500
500
450
400
400
300
200
200
200
200
200
150
125
125
125
100
75
75
75
75
75
75
75
75
100
110
120
130
140
150
160
170
190
210
230
280
350
400
500
620
720
760
760
800
1000
1150
1250
1500
1500
1650
1750
1750
1850
1850
伏
0.85
0.80
0.54
0.49
0.44
0.39
0.25
0.19
0.10
0.15
0.15
0.20
0.20
0.22
0.22
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.30
0.35
0.40
0.40
0.40
0.45
0.55
0.55
0.60
0.60
0.60
0.60
0.65
0.65
0.70
0.80
0.90
1.00
1.20
1.35
1.50
1.60
1.80
2.00
2.20
2.30
2.50
2.50
2.50
2.50
3.00
3.00
3.00
4.00
5.00
5.00
1N5333B
1N5334B
1N5335B
1N5336B
1N5337B
1N5338B
1N5339B
1N5340B
1N5341B
1N5342B
1N5343B
1N5344B
1N5345B
1N5346B
1N5347B
1N5348B
1N5349B
1N5350B
1N5351B
1N5352B
1N5353B
1N5354B
1N5355B
1N5356B
1N5357B
1N5358B
1N5359B
1N5360B
1N5361B
1N5362B
1N5363B
1N5364B
1N5365B
1N5366B
1N5367B
1N5368B
1N5369B
1N5370B
1N5371B
1N5372B
1N5373B
1N5374B
1N5375B
1N5376B
1N5377B
1N5378B
1N5379B
1N5380B
1N5381B
1N5382B
1N5383B
1N5384B
1N5385B
1N5386B
1N5387B
1N5388B
3.3
3.6
3.9
4.3
4.7
5.1
5.6
6.0
6.2
6.8
7.5
8.2
8.7
9.1
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
22
24
25
27
28
30
33
36
39
43
47
51
56
60
62
68
75
82
87
91
100
110
120
130
140
150
160
170
180
190
200
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
2.0
3.0
3.0
4.9
5.4
5.9
6.25
6.6
7.2
8.0
8.6
9.4
10.1
10.8
11.5
12.2
13
13.7
14.4
15.8
17.3
18
19.4
20.1
21.6
23.8
25.9
28.1
31
33.8
36.7
40.3
43
44.6
49
54
59
63
65.5
72
79.2
86.4
93.6
101
108
115
122
130
137
144
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
2.0
3.0
3.0
5.2
5.7
6.2
6.6
6.9
7.6
8.4
9.1
9.9
10.6
11.5
12.2
12.9
13.7
14.4
15.2
16.7
18.2
19
20.6
21.2
22.8
25.1
27.4
29.7
32.7
35.8
38.8
42.6
45.5
47.1
51.7
56
62.2
66
69.2
76
83.6
91.2
98.8
106
114
122
129
137
144
152
1N5333B THRU 1N5388B
* JEDEC注册的数据。
注1 ：
与B后缀上面列出的设备具有± 5 ％的容差，后缀表示± 10 ％的容差，C后缀指定± 2 ％
宽容和D后缀指定± 1 ％的容差。无后缀表示±20％ 。
o
o
注2 ：
齐纳电压（ Vz的）的测量是在T
L
= 25℃ （ 8 ， -2 ℃） 。在40 ± 10毫秒的电压进行测量
应用直流电流之后。
注3 ：
齐纳阻抗是从1千赫兹的交流电压从交流电流调制得到的具有有效值衍生
等于DC齐纳电流的10％ （我
ZT
还是我
ZK
）叠加在我
ZT
还是我
ZK
。见微注202齐纳阻抗
变化具有不同的工作电流。
注4 ：
的最大电流（I
ZM
）所示的是一个± 5 ％的容差的设备。在我
ZM
对于其它的公差可以通过计算
下式：我
ZM
= P / V
ZM
其中，V
ZM
是V
Z
在指定的电压容差的上限P是额定功率
用于安装的方法。
注5 ：
浪涌电流（I
ZSM
）被指定为一个非经常性的半正弦波的8.3毫秒的持续时间的最大峰值。
注6 ：
电压调节（ ΔV
Z
）为10％测得的电压和余50％之间的差
ZM
.
版权
2003
2003年7月23日REV B
Microsemi的
斯科茨代尔区划
8700 E.托马斯路。邮政信箱1390 ，斯科茨代尔，AZ 85252 USA ， （ 480 ） 941-6300 ，传真： （ 480 ） 947-1503
第2页
