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新产品
VT3080S , VFT3080S , VBT3080S , VIT3080S
威世通用半导体
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
参数
击穿电压
测试条件
I
R
= 1.0毫安
I
F
= 5 A
I
F
= 15 A
正向电压
I
F
= 30 A
I
F
= 5 A
I
F
= 15 A
I
F
= 30 A
反向电流
V
R
= 80 V
T
A
= 25 °C
T
A
= 125 °C
I
R (2)
T
A
= 125 °C
T
A
= 25 °C
V
F (1)
T
A
= 25 °C
符号
V
BR
典型值。
80 (最小)
0.47
0.61
0.82
0.39
0.57
0.73
70
23
马克斯。
-
-
-
0.95
-
-
0.82
1000
45
A
mA
V
单位
V
笔记
(1)
脉冲试验: 300微秒的脉冲宽度, 1 %的占空比
(2)
脉冲测试:脉冲宽度
40毫秒
热特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
参数
典型热阻
符号
R
θJC
VT3080S
1.5
VFT3080S
5.0
VBT3080S
1.5
VIT3080S
1.5
单位
° C / W
订购信息
(例)
TO-220AB
ITO-220AB
TO-263AB
TO-263AB
TO-262AA
首选的P / N
VT3080S-E3/4W
VFT3080S-E3/4W
VBT3080S-E3/4W
VBT3080S-E3/8W
VIT3080S-E3/4W
单位重量(g )
1.88
1.75
1.37
1.37
1.46
封装代码
4W
4W
4W
8W
4W
基地数量
50/tube
50/tube
50/tube
800/reel
50/tube
配送方式
磁带和卷轴
额定值和特性曲线
(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
35
负载电阻或电感
30
V(B,I)T3080S
D = 0.5
D = 0.8
25
D = 0.2
20
D = 0.1
15
T
10
5
D =吨
p
/T
0
0
25
50
75
100
125
150
175
0
5
10
15
20
25
30
35
t
p
D = 1.0
D = 0.3
平均正向电流( A)
25
20
15
10
5
安装在专用散热器
0
VFT3080S
平均功耗( W)
30
外壳温度( ° C)
图。 1 - 正向电流降额曲线
平均正向电流( A)
图。 2 - 正向功率损耗特性
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2
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文档编号: 89169
修订: 08 09月09

深圳市碧威特网络技术有限公司