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VT3080C ， VFT3080C ， VBT3080C ， VIT3080C

威世通用半导体

100

10 000

正向电流（A ）

T

A

= 150 °C

10

T

A

= 125 °C

结电容（pF ）

T

J

= 25 °C

F = 1.0 MHz的

V

SIG

= 50毫伏

p-p

1000

1

T

A

= 100 °C

100

T

A

= 25 °C

0.1

0

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

1.2

10

0.1

1

10

100

正向

电压

(V)

图。 3 - 典型的正向特性每二极管

反向

电压

(V)

图。 5 - 典型结电容每二极管

T

A

= 150 °C

10

T

A

= 125 °C

1

T

A

= 100 °C

瞬态热阻抗（ ℃/ W）

瞬时反向电流（mA ）

100

10

结到外壳

VFT3080C

V(B,I)T3080C

1

0.1

T

A

= 25 °C

0.01

0.001

20

30

40

50

60

70

80

90

100

0.1

0.01

0.1

1

10

100

百分比额定峰值反向

电压

(%)

图。 4 - 典型的反向特性每二极管

吨 - 脉冲持续时间（ S）

图。 6 - 每设备典型的瞬态热阻抗

文档编号： 89168

修订： 08 09月09

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