1N5221B到1N5267B

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基本特征

(T

AMB

= 25 ℃，除非另有规定）

R

thJA

- 千卡。抗拒。交界处的环境（K / W）

500

400

300

l

200

100

T

L

=常数

0

0

5

10

15

20

95 9611

威世半导体

P

合计

- 总功率耗散（ mW）的

600

500

400

300

200

100

0

0

80

120

160 200

40

T

AMB

- 环境温度（ ° C）

l

我 - 引线长度（mm ）

95 9602

图。 1 -

热敏电阻与导线长度

图。 4 -

总功率耗散与环境温度

1000

15

T

j

= 25 °C

100

TK

VZ

- 温度系数

of

V

Z

(10

-4

/K)

V

Z

-

电压

CHANGE （MV ）

10

5

I

Z

= 5毫安

0

I

Z

= 5毫安

10

1

0

95 9598

-5

5

10

15

20

25

95 9600

0

10

20

30

40

50

V

Z

- z - 电压（V）

V

Z

- z - 电压（V）

图。 2 -

工作电压下工作的典型变化

在T条件

AMB

= 25 °C

图。 5 -

V温度COEF网络cient

Z

与Z-电压

1.3

200

V

ZTN

- 相对电压变化

1.2

TK

VZ

= 10 x 10

-4

/K

8 x 10

-4

/K

6 x 10

-4

/K

4 x 10

-4

/K

2 x 10

-4

/K

C

D

- 二极管电容（pF ）

V

ZTN

= V

Zt

/V

Z

(25 °C)

150

V

R

= 2

V

T

j

= 25 °C

100

1.1

1.0

0.9

0

- 2 x 10

-4

/K

- 4 x 10

-4

/K

50

0.8

- 60

95 9599

0

0

60

120

180

240

95 9601

0

5

10

15

20

25

T

j

- 结温（ ° C）

V

Z

- z - 电压（V）

图。 3 -

工作电压与典型的变化

结温

修订版2.0 31 -JAN- 12

图。 6 -

二极管电容与Z-电压

文档编号： 85588

3

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