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VBUS053AZ-HAF
USB -OTG总线端口ESD保护
威世半导体
对于V
公共汽车
= 12 V
应用说明
该VBUS053AZ - HAF的目的是作为一个ESD保护和瞬态电压抑制器一个USB -OTG端口。
该LLP75-7L包中包含两个单独的管芯被安装在一个共同的接地平面（引脚7）。高速数据
线D-， D +和标识，被连接到任何引脚没有。为13 ，只要在数据线上的信号电压之间的
地面和5伏的工作范围时，低电容的PN二极管提供了一个非常高的隔离接地和其它数据线。
但只要任何瞬态信号一样的ESD信号，超过了5V电压在正或负方向上该工作范围内，
该PN二极管中的一个进入正向模式和夹紧瞬态或者接地，或者通过水平雪崩中断。
一个额外的雪崩二极管（单管芯）钳位电源线的电压（V
公共汽车
在引脚6）上述12 V工作范围到地
（引脚7 ） 。
由于“两片建设”的V
公共汽车
线具有非常高的隔离到数据线。在发生破坏性的瞬态信号，
即从一个充电器来，数据线也不会受到影响。
V
公共汽车
6
（钉顶部
VIEW ）
5
4
NC 。 NC 。
6
7
GND
7
1
2
3
5
4
1
D-
2
D+
3
ID
21103
备注：
输入引脚没有。 1 ， 2和3是对称的。各数据信号D-， D +和ID可以被连接到针的1 ， 2或3 。
典型特征
(T
AMB
= 25 ℃，除非另有规定）
120 %
上升时间= 0.7 ns至1纳秒
80
F = 1 MHz的
70
60
80
%
60 %
53 %
6引脚到引脚7
放电电流I
ESD
100 %
C
D
（PF ）
50
40
30
20
10
40 %
27 %
20 %
0%
- 10 0 10 20 30 40 50 60 70
80
90 100
20557
0
21468
0
5
10
15
时间（纳秒）
V
R
(V)
图。 1 - 静电放电电流波形
ACC 。 IEC 61000-4-2 （ 330
Ω/150
pF的）
图。 3 - 典型的电容C
D
与反向电压V
R
0.8
100 %
80
%
60 %
20
s
70％的
40 %
20 %
0.1
0%
0
20548
8 s
到100％
F = 1MHz时，一个I / O为3.3引脚
V
0.7
0.6
C
D
（PF ）
0.5
0.4
0.3
引脚1 ， 2或3针7
0.2
I
PPM
0
10
20
30
40
21469
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
时间（μs ）
V
R
(V)
图。 2 - 8/20 μs的峰值脉冲电流波形Formacc 。 IEC 61000-4-5
文档编号： 81845
修订版1.4 ， 16日-12月10
图。 4 - 典型的电容C
D
与反向电压V
R
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