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VCUT05A4-05S
威世半导体
18
F = 1 MHz的
16
14
120
100
80
命中率。 IEC 61000-4-2
+
8
kV
接触放电
V
C- ESD
(V)
12
60
脚1， 3，4，和5至引脚2
40
20
0
- 20
- 40
- 10 0
C
D
（PF ）
10
8
6
4
2
0
-
8
-6
-4
-2
0
2
4
6
8
脚1， 3，4，和5至引脚2
10 20 30 40 50 60 70
80
90
22014
V
R
(V)
图3.典型电容C
D
与
反向电压V
R
22017
T（ NS ）
图6.典型钳位性能，在+ 8千伏
接触放电（符合IEC 61000-4-2 ）
10
8
6
4
脚1， 3，4，和5至引脚2
40
20
0
命中率。 IEC 61000-4-2
-
8
kV
接触放电
V
R
(V)
2
0
-2
-4
-6
-
8
- 10
0.01
V
C- ESD
(V)
- 20
- 40
管脚2至引脚1 ， 3 ，4和5
- 60
-
80
管脚2至引脚1 ， 3 ，4和5
0.1
1
10
100
1000 10 000
- 100
- 10 0
22018
10 20 30 40 50 60 70
80
90
22015
I
R
(A)
T（ NS ）
图4.典型的反向电压V
R
与反向电流I
R
图7.典型钳位性能 - 8千伏
接触放电（符合IEC 61000-4-2 ）
20
脚1， 3，4，和5至引脚2
15
正浪涌
10
250
200
150
100
正浪涌
命中率。 IEC 61000-4-2
接触放电
V
C- ESD
(V)
V
C
(V)
5
0
-5
测
ACC 。 IEC 61000-4-5
(8/20
s
-
WAVE
表）
50
0
- 50
- 100
V
C
V
C- ESD
负
浪涌
- 10
管脚2至引脚1 ， 3 ，4和5
- 15
0
22016
- 150
- 200
- 250
5
22019-1
负
浪涌
1
2
3
4
0
5
10
15
20
25
30
I
PP
(A)
V
ESD
（千伏）
图5.典型的峰值钳位电压V
C
与
峰值脉冲电流I
PP
图8.典型的峰值钳位电压ESD时
接触放电（符合IEC 61000-4-2 ）
文档编号85202
修订版1.1 ， 28日， 10
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