1N4942GP通1N4948GP

威世通用半导体

10

100

T

J

= 25 °C

F = 1.0 MHz的

V

SIG

= 50毫伏

p-p

正向电流（A ）

1

结电容（pF ）

1.6

10

0.1

T

J

= 25 °C

脉冲宽度= 300微秒

1 ％占空比

0.01

0.4

1

0.6

0.8

1.0

1.2

1.4

1

10

100

正向电压（ V）

反向电压（ V）

图。 3 - 典型的正向特性

图。 5 - 典型结电容

100

100

瞬时反向电流（ μA ）

10

T

J

= 125 °C

典型热阻（ ° C / W）

10

1

T

J

= 75 °C

1

0.1

T

J

= 25 °C

0.01

0

20

40

60

80

100

0.1

0.01

0.1

1

10

100

1999额定峰值反向电压百分比（％ ）

吨 - 脉冲持续时间（ S）

图。 4 - 典型的反向特性

图。 6 - 典型的瞬态热阻抗

包装外形尺寸

以英寸（毫米）

DO- 204AL （DO- 41）的

1.0 (25.4)

分钟。

0.107 (2.7)

0.080 (2.0)

DIA 。

0.205 (5.2)

0.160 (4.1)

1.0 (25.4)

分钟。

0.034 (0.86)

0.028 (0.71)

DIA 。

记

0.026 (0.66)

铅直径

为

苏FFI X

“E”部件号

0.023 (0.58)

文档编号： 88511

修订： 15 -MAR- 11

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3

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