1N4448WSF
I
F
，正向电流（A）
500
P
D
,
功耗（MW ）
1
400
0.1
300
注4
0.01
200
新产品
0.001
100
0
0
50
25
75
100
125
T
A
，环境温度（
°
C)
图。 1正向电流降额曲线
150
0.0001
0
0.4
0.8
1.2
1.6
V
F
，正向电压（ V）
图。 2典型正向特性
I
R
，瞬时反向电流（
μ
A)
100
1.5
F = 1MHz的
T
A
= 150
°
C
T
A
= 125
°
C
10
C
T
，总电容（PF ）
1
1
T
A
= 8 5
°
C
0.1
T
A
= 25
°
C
0.5
0.01
T
A
= -55
°
C
0.001
0
10
20 30
40
50
60
70 80
90 100
0
1
V
R
，瞬时反向电压（ V）
图。 3典型的反向特性
10
40
V
R
，采用直流反接电压（ V）
图。 4总电容与反向电压
包装外形尺寸
He
E
D
B（ 2X ）
α1
β1
A
c
α2
L1
β2
SOD323F
暗淡
民
最大
典型值
A
0.60 0.75
b
0.25 0.35
c
0.05 0.26
D
1.15 1.35 1.25
E
1.60 1.80 1.70
He
2.30 2.70 2.50
L1
0.30 0.50 0.40
α1
7°
α2
3°
β1
7°
β2
3°
尺寸：mm
1N4448WSF
文件编号： DS35380修订版3 - 2
3 4
www.diodes.com
2011年8月
Diodes公司
