技术数据表

6湖街，劳伦斯，MA 01841

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高可靠性硅电力整流器

玻璃钝化芯片

500安培浪涌额定值

每个合格的MIL -PRF-二百九十七分之一万九千五百

玻璃 - 金属密封建设

VRRM到1000伏特

器件

水平

1N1184

1N1186

1N1188

1N1190

1N3766

1N3768

1N1184R

1N1186R

1N1188R

1N1190R

1N3766R

1N3768R

JAN

JANTX

JANTXV

绝对最大额定值（T

C

= + 25 ° C除非另有说明）

参数/测试条件

峰值反向电压

1N1184

1N1186

1N1188

1N1190

1N3766

1N3768

1N1184R

1N1186R

1N1188R

1N1190R

1N3766R

1N3768R

符号

价值

100

200

400

600

800

1000

35

500

0.8

-65℃ 175℃

-65℃ 175℃

单位

V

R

V

平均正向电流，T

C

= 150°

峰值正向电流浪涌@ T

p

= 8.3ms的，半正弦波，

T

C

= 150°C

热阻，结到外壳

工作温度范围

存储温度范围

I

F

I

FSM

R

θJC

T

j

T

英镑

A

A

° C / W

°C

°C

电气特性（T

A

= + 25℃ ，除非另有说明）

参数/测试条件

正向电压

I

FM

= 110A ，T

C

= 25°C*

正向电压

I

FM

= 500A ，T

C

= 150°C*

反向电流

V

RM

= 100, T

j

= 25°C

V

RM

= 200, T

j

= 25°C

V

RM

= 400, T

j

= 25°C

V

RM

= 600, T

j

= 25°C

V

RM

= 800, T

j

= 25°C

V

RM

= 1000, T

j

= 25°C

反向电流

V

RM

= 100, T

j

= 150°C

V

RM

= 200, T

j

= 150°C

V

RM

= 400, T

j

= 150°C

V

RM

= 600, T

j

= 150°C

V

RM

= 800, T

j

= 150°C

V

RM

= 1000, T

j

= 150°C

1N1184

1N1186

1N1188

1N1190

1N3766

1N3768

1N1184

1N1186

1N1188

1N1190

1N3766

1N3768

1N1184R

1N1186R

1N1188R

1N1190R

1N3766R

1N3768R

1N1184R

1N1186R

1N1188R

1N1190R

1N3766R

1N3768R

符号

V

FM

V

FM

分钟。

马克斯。

1.4

2.3

单位

V

V

DO- 203AB （DO- 5）

I

RM

10

μA

I

RM

1

mA

*脉冲测试：脉冲宽度300微秒，占空比2 ％

注意：

T4 - LDS - 0138修订版1（ 091729 ）

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