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VF20100C

威世通用半导体

双高压Trench MOS势垒肖特基整流器

超低V

F

= 0.50 V ，在我

F

= 5 A

TMBS

特点

沟道MOS肖特基技术

低正向压降，低功率损耗

高效率运行

焊锡炉温度275 ℃以下。 10秒，每

JESD 22 - B106

符合RoHS指令2002/95 / EC和

根据WEEE指令2002/96 / EC

根据IEC 61249-2-21定义的无卤素

ITO-220AB

1

VF20100C

销1

3脚

销2

2

3

典型应用

为在高频DC / DC变换器使用，开关

电源，续流二极管， OR- ing二极管，和

电池反接保护。

主要特征

I

F（ AV ）

V

RRM

I

FSM

V

F

在我

F

= 10 A

T

J

马克斯。

2 ×10

100 V

150 A

0.58 V

150 °C

机械数据

案例：

ITO-220AB

塑封料符合UL 94 V - 0阻燃等级

底座P / N - M3 - 无卤素，符合RoHS标准，并

商业级

终端：

雾锡电镀引脚，焊

J- STD- 002和JESD 22 - B102

M3后缀符合JESD 201级1A晶须试验

极性：

由于标

安装扭矩：

最大10磅

每

最大额定值

(T

A

= 25 ° C除非另有说明）

参数

最大重复峰值反向电压

最大正向平均整流电流

（图1）的

每个器件

每二极管

I

F（ AV ）

I

FSM

dv / dt的

V

AC

T

J

, T

英镑

符号

V

RRM

VF20100C

100

20

A

10

150

10 000

1500

- 40 + 150

A

V / μs的

V

°C

单位

V

峰值正向浪涌电流8.3ms单一正弦半波

叠加在额定负荷

变化的额定电压（额定V

R

)

从特马尔隔离电压到散热片T = 1分

工作结存储温度范围

文档编号： 89323

修订： 10 - NOV- 10

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