新产品

V20100C ， VF20100C ， VB20100C & VI20100C

威世通用半导体

双高压Trench MOS势垒肖特基整流器

超低V

F

= 0.50 V ，在我

F

= 5 A

TMBS

TO-220AB

ITO-220AB

特点

沟道MOS肖特基技术

低正向压降，低功耗

损失

高效率运行

符合MSL等级1 ，符合per J -STD- 020 ， LF

245 ° C（用于TO- 263AB封装）最大峰值

焊锡炉温度275 ° C（最大值） ， 10秒，

每JESD 22 - B106 （用于TO- 220AB ， ITO - 220AB和

TO- 262AA封装）

符合RoHS指令2002/95 / EC和

根据WEEE指令2002/96 / EC

典型应用

对于高频转换器的使用，开关电源

用品，续流二极管， OR- ing二极管，直流 - 直流

转换器和电池反向保护。

1

2

3

2

V20100C

销1

3脚

销2

例

3

1

VF20100C

销1

3脚

销2

2

3

1

TO-263AB

K

K

TO-262AA

2

1

VB20100C

销1

销2

K

散热器

机械数据

案例：

TO- 220AB ， ITO - 220AB ， TO- 263AB和

TO-262AA

塑封料符合UL 94 V- 0阻燃

等级

底座P / N - E3 - 符合RoHS标准，商用级

终端：

雾锡镀线索，每焊

J- STD- 002和JESD 22 - B102

E3后缀符合JESD 201级1A晶须试验

极性：

由于标

安装扭矩：

最大10磅

VI20100C

销1

3脚

销2

K

主要特征

I

F（ AV ）

V

RRM

I

FSM

V

F

在我

F

= 10 A

T

J

马克斯。

2 ×10

100 V

150 A

0.58 V

150 °C

最大额定值

(T

A

= 25 ° C除非另有说明）

参数

最大重复峰值反向电压

最大正向平均整流电流（图1）

峰值正向浪涌电流8.3ms单半

正弦波叠加每个二极管的额定载荷

非重复性雪崩能量

在T

J

= 25 ° C，L = 60 mH的二极管

在t重复峰值反向电流

p

= 2微秒， 1 kHz时，

T

J

= 38 ° C± 2°C的每二极管

变化的电压率（额定V

R

)

隔离电压（ ITO - 220AB只）

从终端到散热片T = 1分

工作结存储温度范围

每个器件

每二极管

符号

V

RRM

I

F（ AV ）

I

FSM

E

AS

I

RRM

dv / dt的

V

AC

T

J

, T

英镑

V20100C

VF20100C

VB20100C

VI20100C

单位

V

A

A

mJ

A

V / μs的

V

°C

100

20

10

150

150

1.0

10 000

1500

- 40 + 150

文档编号： 88977

修订： 24军09

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