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V20120SG ， VF20120SG ， VB20120SG & VI20120SG

威世通用半导体

电气特性

(T

A

= 25 ° C除非另有说明）

参数

击穿电压

测试条件

I

R

= 1.0毫安

I

F

= 5 A

I

F

= 10 A

I

F

= 20 A

I

F

= 5 A

I

F

= 10 A

I

F

= 20 A

V

R

= 90 V

反向电流

(2)

V

R

= 120 V

注意事项：

（1 ）脉冲测试： 300微秒的脉冲宽度， 1 ％的占空比

（ 2 ）脉冲测试：脉冲宽度

≤

40毫秒

T

A

= 25 °C

T

A

= 25 °C

V

F

T

A

= 125 °C

T

A

= 25 °C

T

A

= 125 °C

T

A

= 25 °C

T

A

= 125 °C

0.54

0.65

0.78

10

7

I

R

-

12

-

-

0.88

-

-

250

25

A

mA

A

mA

符号

V

BR

典型值。

120 （最小）

0.62

0.81

1.20

马克斯。

-

-

-

1.33

单位

正向电压

(1)

V

热特性

(T

A

= 25 ° C除非另有说明）

参数

典型热阻

符号

R

θJC

V20120SG

2.2

VF20120SG

4.2

VB20120SG

2.2

VI20120SG

2.2

单位

° C / W

订购信息

（例）

包

TO-220AB

ITO-220AB

TO-263AB

TO-263AB

TO-262AA

首选的P / N

V20120SG-E3/4W

VF20120SG-E3/4W

VB20120SG-E3/4W

VB20120SG-E3/8W

VI20120SG-E3/4W

单位重量（g ）

1.88

1.75

1.38

1.38

1.45

封装代码

4W

4W

4W

8W

4W

基地数量

50/tube

50/tube

50/tube

800/reel

50/tube

配送方式

管

管

管

磁带和卷轴

管

额定值和特性曲线

(T

A

= 25 ° C除非另有说明）

25

负载电阻或电感

35

D = 0.5

30

V(B,I)20120SG

15

VF20120SG

D = 0.3

D = 0.2

D = 1.0

20

15

T

10

5

0

0

25

50

75

100

125

150

175

0

4

8

12

16

20

24

D = 0.1

D = 0.8

平均正向电流（ A）

平均功耗（ W）

20

25

10

5

安装在专用散热器

0

D =吨

p

/T

t

p

外壳温度（ ° C）

平均正向电流（ A）

图1.正向电流降额曲线

图2.正向功率损耗特性

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2

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文档编号： 88994

修订： 19 08年5月